| Lugar de origem: | China |
|---|---|
| Marca: | TX TELSIG |
| Certificação: | SGS, ISO9001 |
| Número do modelo: | YP2233W |
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
| Preço: | Negotiation |
| Termos de pagamento: | L/C, T/T, Paypal, etc. |
| Escala de frequência: | 700-2700MHz | Operação: | 3.3V~5.0V |
|---|---|---|---|
| Corrente quieta: | 280mA | Ganhe (tipo): | DB 26 |
| Realçar: | amplificador de potência do rf,amplificador de potência mmic |
||
Amplificador de potência do amplificador 700-2700MHz de TXtelsig YP2233W RF
O YP2233W é um amplificador de potência de faixa larga do alcance dinâmico alto em um pacote de superfície da montagem. O amplificador de duas fases fornece um ganho típico de 26dB, ao poder conseguir o elevado desempenho para aplicações de 0.7-2.7 gigahertz com até o +35dBm do poder 1dB comprimido, a condição diagonal típica é 5V em 280mA. O dispositivo é fabricado em um processo bipolar do transistor da heterojunção avançada de InGaP (HBT). O dispositivo incorpora circuitos diagonais proprietários para compensar variações nas linearidades e na tração atual sobre a temperatura. O YP2233W é montado 16 em um pino, 4mm×4mm, pacote de QFN. É integrado internamente com circuitos da proteção do ESD em todos os portos.
Características
■RoHS & produto Pb-livre
■escala de funcionamento 700~2700MHz
■operação 3.3~5.0V
■ganho 26dB (tipo) @1.6GHz
■34dBm P1dB @VCC=5V
■corrente 280mA quieta
■>15dB entrou a perda do retorno
■Detector potência de saída integrado
■Proteção do ESD todos os portos acima de 1000V HBM
Aplicações
■ponto de acesso 802.11b/g/n
■equipamento sem fio do ISMO 2.4GHz
■Sistemas de comunicação do PCS
■Sistemas de faixa larga do Propagação-espectro
■Aplicação dos amplificadores de poder superior
■Amplificadores do estado final para repetidores
■Compasso do BD
Informação pedindo
■Amplificador de potência de faixa larga de YP2233W
■Placa de avaliação de YP2233W EVB-1 1.2-1.3GHz
■Placa de avaliação de YP2233W EVB-2 1.5-1.7GHz
■Placa de avaliação de YP2233W EVB-3 2.4-2.5GHz
Cuidado! Dispositivo sensível do ESD.
Avaliação do ESD: Class1C
Valor: Passes≥1000V mínimo.
Teste: Modelo do corpo humano (HBM)
Padrão: JEDEC JESD22-A114 padrão
Avaliação do ESD: Classe IV
Valor: Passagens ≥1000V mínimas.
Teste: Modelo carregado do dispositivo (CDM)
Padrão: JEDEC JESD22-C101 padrão
Avaliação de MSL: Ao nível 3 em uma convecção de +260 °C
reflow
Padrão: JEDEC J-STD-020 padrão
| Parâmetro | Avaliação | Unidade |
| Poder entrado do RF | 20 | dBm |
| Tensão de fonte | -0,5 a +8,0 | V |
| Tensão diagonal | -0,5 a +3,0 | V |
| Corrente da fonte da C.C. | 2000 | miliampère |
| Temperatura ambiental de funcionamento | -40 a +85 | °C |
| Temperatura de armazenamento | -40 a +150 | °C |
| Pin Description | ||
| Pin No. | Símbolo | Descrição |
| 1 | VCCB | Tensão de fonte para a polarização |
| 3 | RF DENTRO | Entrada do RF |
| 5 | VCTR | Tensão de ligar/desligar do controle do poder |
| 6, 7 | VREF1, VREF2 | Tensão atual diagonal do controle |
| 9, 10, 11, 12 | RF PARA FORA DE (VCC2) | Saída do RF e tensão de coletor da fase 2 |
| 14 | DET | Potência de saída detecte |
| 15 | VCCD | Tensão de fonte para o detector do poder |
| 16 | VCC1 | Encene 1 tensão de coletor |
| 2, 4, 8, 13 | NC/GND | Nenhuma conexão ou terra |